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一种沟槽型半导体器件
公开号: CN222233642U | 申请号: CN202420278127.9

申请类型: 实用新型

申请号: CN202420278127.9

申请日期: 2024-02-05

公开号: CN222233642U

名称: 一种沟槽型半导体器件

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L29/778(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/04(2

申请人(专利权人): 闽都创新实验室

发明人/设计人: 方照诒;黄博崇;游正璋

地址: 350108 福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号

摘要: 本实用新型公开了一种沟槽型半导体器件。该器件包括：衬底；设置于衬底一侧的沟道层，沟道层包括下凹部，沿衬底垂直指向沟道层的方向，下凹部的宽度逐渐增加；其中，下凹部的侧壁为沟道材料的半极性晶面；势垒层，势垒层位于沟道层背离衬底的一侧，沟道层与势垒层之间形成有二维电子气层。采用上述方案，可保证沟槽侧壁处的二维电子气的形成效果，增强沟槽侧壁处二维电子气的浓度，进而降低器件的导通电阻，提高正向导通率，同时兼顾器件的击穿电压。另外，设置沟槽侧壁为半极性晶面，也有利于提升沟道层之上膜层的外延生长质量，保证沟道层与势垒层相接面的平整性，进而降低二维电子气传输过程的晶格散射，提升器件整体性能。

代理人: 胡彬

代理机构: 北京品源专利代理有限公司 11332