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磁控溅射镀膜装置
公开号: CN222226532U | 申请号: CN202421034473.9

申请类型: 实用新型

申请号: CN202421034473.9

申请日期: 2024-05-13

公开号: CN222226532U

名称: 磁控溅射镀膜装置

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: C23C14/35(2006.01)

申请人(专利权人): 拉普拉斯（西安）科技有限责任公司

发明人/设计人: 祁文杰;卢秋霞;林佳继

地址: 710000 陕西省西安市西咸新区泾河新城崇文镇泾河三街76号光电子学研究与创新中心3号楼3-4层

摘要: 本申请属于太阳能电池制造技术领域，涉及一种磁控溅射镀膜装置，该磁控溅射镀膜装置包括炉体、磁控溅射机构、供气机构以及多个加热件，炉体设置有反应腔，反应腔的腔壁为连续的平滑过渡面；磁控溅射机构活动安装于反应腔内，供气机构与反应腔相连通；多个加热件均设置于炉体；沿第一方向观察，多个加热件围绕反应腔分布；第一方向为炉体的轴线方向。本申请中的磁控溅射镀膜装置通过将反应腔的腔壁设计成连续平滑过渡面，能够降低因反应腔内出现死角，导致反应气体堆积的风险，从而使反应气体均匀分布在反应腔内，提高磁控溅射镀膜装置镀膜的均匀性，进而提高太阳能电池性能。

代理人: 彭辉剑

代理机构: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334