申请类型: 实用新型
申请号: CN202323395219.X
申请日期: 2023-12-12
公开号: CN222226647U
名称: 外延工艺装置
公开日期: 2024-12-24
当前法律状态: 授权
状态: 有权
主要IPC: C30B29/06(2006.01);C30B23/02(2006.01)
申请人(专利权人): 上海集成电路研发中心有限公司
发明人/设计人: 卢梓枫
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
摘要: 本实用新型提供了一种外延工艺装置,包括封闭式反应腔室、与所述封闭式反应腔室的内壁连接的补光灯组、以及依次设置于所述补光灯组下方的承载基座和基座支撑件,所述补光灯组用于为所述承载基座上的硅片边缘区域提供温差补偿。本实用新型解决了现有装置对硅片边缘区域的薄膜生长厚度难以进行精准调控的问题。
代理人: 黄海霞
代理机构: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
申请日期: 2023-12-12
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-11
公开日期: 2024-12-24
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公开日期: 2024-12-24
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公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-11-02
公开日期: 2024-12-24
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公开日期: 2024-12-24
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公开日期: 2024-12-24
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公开日期: 2024-12-24
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