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一种增强散热的ESOP9L多基岛引线框架
公开号: CN222233636U | 申请号: CN202421014196.5

申请类型: 实用新型

申请号: CN202421014196.5

申请日期: 2024-05-11

公开号: CN222233636U

名称: 一种增强散热的ESOP9L多基岛引线框架

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L23/495(2006.01)

申请人(专利权人): 广东杰信半导体材料股份有限公司

发明人/设计人: 丁银光;邱鸣森;刘建河

地址: 516100 广东省惠州市博罗县石湾镇鸾岗村陈屋

摘要: 本申请公开了一种增强散热的ESOP9L多基岛引线框架，属于集成电路技术领域。该引线框架包括框架整体，所述框架整体的上下两侧设置有用于定位和识别的圆孔和椭圆孔，上下两侧的孔之间设置有纵横排列的多个小单元，每个小单元包括多个基岛、连接于基岛的内脚和外脚、连接内脚与外脚的连接筋，以及将基岛固定于框架整体的Tibar，基岛上设有锁孔，相邻列的小单元之间设有进胶孔或者切断孔，进胶孔和切断孔沿框架整体的横向方向交错设置。本申请有益效果：背漏基岛可以增强芯片使用过程的散热性,未打凹的基岛增加锁孔增强了塑封的可靠性，提高产品的良率，减少生产过程中投入的成本。

代理人: 覃曼萍

代理机构: 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260