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一种内导体组件、同轴结构及功率合成装置
公开号: CN222233837U | 申请号: CN202421094716.8

申请类型: 实用新型

申请号: CN202421094716.8

申请日期: 2024-05-20

公开号: CN222233837U

名称: 一种内导体组件、同轴结构及功率合成装置

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01P5/12(2006.01)

申请人(专利权人): 成都沃特塞恩电子技术有限公司

发明人/设计人: 冯智飞;李东亚;李俊宏

地址: 610041 四川省成都市高新区益州大道中段1800号天府软件园G区G3栋3楼301号

摘要: 本实用新型涉及电磁波技术领域，具体而言，涉及一种内导体组件、同轴结构及功率合成装置，所述内导体组件包括第一导体、第二导体和至少2件第三导体，所述第二导体、第三导体均与第一导体连接，所述第一导体与第二导体的长度之和为λ/4，提供了一种可将热量直接传递给外导体的内导体组件，所述同轴结构包括所述内导体组件，所述功率合成装置包括所述同轴结构。

代理人: -

代理机构: -