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薄膜沉积装置
公开号: CN222226536U | 申请号: CN202421040491.8

申请类型: 实用新型

申请号: CN202421040491.8

申请日期: 2024-05-14

公开号: CN222226536U

名称: 薄膜沉积装置

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: C23C14/50(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C16/458(2

申请人(专利权人): 甬矽电子（宁波）股份有限公司

发明人/设计人: 何正鸿;李奎奎;姜滔;王森民

地址: 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

摘要: 一种薄膜沉积装置，涉及半导体工艺设备技术领域。该薄膜沉积装置包括晶圆平台和加热平台，晶圆平台靠近加热平台的一面设有容置槽，加热平台可拆卸连接于容置槽内，且加热平台与晶圆平台相向设置的一面呈面接触，加热平台用于对晶圆平台加热。该薄膜沉积装置能够在加热装置发生损坏时便于维修，能够降低薄膜沉积装置的维修成本。

代理人: 崔熠

代理机构: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463