专利查询系统

半导体工艺腔室及半导体工艺设备
公开号: CN222233577U | 申请号: CN202420016871.1

申请类型: 实用新型

申请号: CN202420016871.1

申请日期: 2024-01-03

公开号: CN222233577U

名称: 半导体工艺腔室及半导体工艺设备

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L21/67(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01J37/32(20

申请人(专利权人): 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人/设计人: 翟浩;任晓艳;张璐;魏延宝;王歆銘

地址: 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

摘要: 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述半导体工艺腔室包括：腔室外壁，半导体工艺腔室设有等离子放电腔；腔室外壁围设于等离子放电腔外，腔室外壁设有第一穿孔，第一穿孔内设有封堵第一穿孔的第一导光柱，第一导光柱用于透射出等离子放电腔内的光线，第一导光柱的背离半导体工艺腔室的一侧设有聚光透镜。该半导体工艺腔室能够基于等离子放电腔的辉光确定起辉状态。

代理人: 束智伟

代理机构: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315