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半导体器件
公开号: CN222233639U | 申请号: CN202323497117.9

申请类型: 实用新型

申请号: CN202323497117.9

申请日期: 2023-12-19

公开号: CN222233639U

名称: 半导体器件

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L27/02(2006.01)

申请人(专利权人): 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

发明人/设计人: 林坤彬;杨美佳;毕京锋;李森林

地址: 361026 福建省厦门市海沧区兰英路99号

摘要: 本实用新型实施例公开了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、第一结构、第二结构、第一电极和第二电极。第一结构包括具有第一掺杂类型的第一半导体层和具有第二掺杂类型的第二半导体层，第二结构包括具有第一掺杂类型的第四半导体层和具有第二掺杂类型的第三半导体层。第一电极和第二电极将第一结构和第二结构并联，使半导体器件中具有两个朝向相反的并联的PN结。本实用新型实施例的半导体器件通过上述结构，在发生静电放电时，不会被反向的电流或电压击穿。

代理人: 刘锋;王巧玲

代理机构: 北京睿派知识产权代理有限公司 11597