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一种二维材料刻蚀氧化硅
公开号: CN110828309A | 申请号: CN201910596829.5

申请类型: 发明

申请号: CN201910596829.5

申请日期: 2019-07-03

公开号: CN110828309A

名称: 一种二维材料刻蚀氧化硅

公开日期: 2020-02-21

当前法律状态: 公开

状态: 审中

主要IPC: H01L21/311(2006.01)I

申请人(专利权人): 杭州电子科技大学

发明人/设计人: 赵士超;吕燕飞;徐竹华

地址: 310018浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

摘要: 本发明公开了一种二维材料刻蚀氧化硅，本发明先将二维材料通过化学气相沉积法直接生长或先在生长基底表面化学气相沉积法生长然后通过转移法转移至氧化硅表面；然后将其浸入氢氧化钾水溶液中，取出，之后用水清洗干净，获得表面转移有二维图案形貌的氧化硅。本发明方法通过二维材料催化促进碱液对氧化硅的刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维材料单晶形貌向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。

代理人: 杨舟涛

代理机构: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240