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一种磁控溅射靶座及磁控溅射设备
公开号: CN222226526U | 申请号: CN202323326619.5

申请类型: 实用新型

申请号: CN202323326619.5

申请日期: 2023-12-06

公开号: CN222226526U

名称: 一种磁控溅射靶座及磁控溅射设备

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: C23C14/35(2006.01)

申请人(专利权人): 吉林华微电子股份有限公司

发明人/设计人: 杨明;王子彤;解庆权;王刚;邢雪;刘畅;王磊;石也琛

地址: 132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号

摘要: 本申请公开了一种磁控溅射靶座及磁控溅射设备，涉及靶座技术领域。用于解决现有技术中磁控溅射靶座为一体成型，从而增加了制造磁控溅射靶座成本的问题。所述靶座包括靶座本体、导电环、封环和电源；靶座本体上开有镶嵌槽和安装腔，安装腔用于安装靶材，导电环安装在镶嵌槽内，导电环用于固定靶材；封环安装在靶座本体上并覆盖至少部分导电环，封环用于使靶座本体与靶材之间绝缘；电源安装在靶座本体上，电源用于为靶座本体供电。本申请将靶座本体、导电环和封环分体式设置，将靶座本体、导电环和封环分别制备再进行组装，即可制造出该靶座，从而可以极大地降低该靶座的复杂度，进而可以降低该靶座的成本。

代理人: 陈仕超

代理机构: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310