专利查询系统

一种磷化铟单晶生成装置
公开号: CN222226646U | 申请号: CN202420675245.3

申请类型: 实用新型

申请号: CN202420675245.3

申请日期: 2024-04-03

公开号: CN222226646U

名称: 一种磷化铟单晶生成装置

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: C30B28/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B11/00(20

申请人(专利权人): 中讯半导体（江苏）有限公司

发明人/设计人: 范博

地址: 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区西湖西路160号20幢20号

摘要: 本实用新型公开了一种磷化铟单晶生成装置，包括加热箱和反应箱，所述加热箱一侧固定连接有连接管，所述连接管另一侧固定连接在反应箱上，且加热箱和反应箱均与连接管相连通，所述连接管外壁包裹有保温棉，所述连接管内壁底部固定连接有固定块，所述固定块靠近顶部位置开设有圆孔，所述圆孔中滑动连接有滑杆。本实用新型，加热箱内部的气压增大，当达到一定程度的时候，磷蒸汽将会加压密封板向反应箱移动，且弹簧受到压缩，同时密封板移动的距离越大，由于半圆锥槽的设置，通气的孔就越大，有效解决了背景技术中提出的问题，进而实现了对磷蒸汽的流量进行限制，避免过量的磷蒸汽在反应箱内未与铟反应，造成反应效率降低技术效果。

代理人: -

代理机构: -