申请类型: 实用新型
申请号: CN202323536151.2
申请日期: 2023-12-22
公开号: CN222233565U
名称: 离子束整流装置
公开日期: 2024-12-24
当前法律状态: 授权
状态: 有权
主要IPC: H01J37/317(2006.01);H01J37/18(2006.01);H01J37/147(
申请人(专利权人): 上海凯世通半导体股份有限公司
发明人/设计人: 王占柱;李轩;杨立军;孟庆栋;洪俊华;夏世伟;陈克禄;李勇军
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区牛顿路200号7号楼单元1
摘要: 一种离子束整流装置,包括:真空腔室,所述真空腔体的体积较大,能够容纳一个或多个磁腔单元,且使得每个磁腔单元中的两个磁腔之间预先设置有让等离子束经过的整流通道,整流磁体设置在所述磁腔中,能够对从入射口进入磁腔之间的等离子束进行精确整流,优化其路径和形态;更重要的是,因为离子束整流装置的真空腔体具有较大的空间,还能够为其他辅助设备的安装提供充足的空间,使得离子束整流装置具有较强的功能性和应用灵活性。
代理人: 高静
代理机构: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
申请日期: 2023-12-26
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2024-05-14
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-22
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-20
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-20
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-19
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-18
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-15
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2024-05-13
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-18
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2024-05-13
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-08
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-12-07
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-11-30
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-11-30
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-11-02
公开日期: 2024-12-24
查看更多申请日期: 2023-08-25
公开日期: 2024-12-24
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