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一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件
公开号: CN222233643U | 申请号: CN202420920829.2

申请类型: 实用新型

申请号: CN202420920829.2

申请日期: 2024-04-29

公开号: CN222233643U

名称: 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L29/786(2006.01)

申请人(专利权人): 南京大陆豪薄膜开关技术有限公司

发明人/设计人: 姚应海;成来军;陆一兵

地址: 211100 江苏省南京市江宁区禄口街道蓝天路212号（江宁开发区）

摘要: 本实用新型公开了一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件，涉及电子器件技术领域。包括基板，所述基板上依次设置有缓冲层、绝缘层、栅极、源极和漏极，所述缓冲层设置于基板与绝缘层之间，并分别与基板与绝缘层接触，所述源极与绝缘层之间设置有源接触区，所述源接触区与绝缘层及源极接触，所述漏极与绝缘层之间设置有漏接触区，所述漏接触区与绝缘层及漏极接触。本方案提供的金属氧化物薄膜晶体管存储器件，结构更加简单，阳极氧化处理工艺只需要在常温、常压下进行，操作简单，可控性强，适用于大规模生产，节省了生产成本，具有较高的实用价值，可广泛应用于电子设备领域中的存储器件制造和应用。

代理人: 张俊亮

代理机构: 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360