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发光二极管
公开号: CN222233663U | 申请号: CN202323662884.0

申请类型: 实用新型

申请号: CN202323662884.0

申请日期: 2023-12-29

公开号: CN222233663U

名称: 发光二极管

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L33/36(2010.01);H01L33/38(2010.01);H01L33/00(20

申请人(专利权人): 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

发明人/设计人: 王思琦;李士涛;边福强

地址: 361000 福建省厦门市海沧区兰英路99号

摘要: 本实用新型实施例公开了一种发光二极管，该发光二极管包括衬底、外延层、第一电极、第二电极、第一介质层、第三电极和第四电极。外延层从下到上依次堆叠第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第一电极通过通孔与第一半导体层电连接，第二电极与第二半导体层电连接，第一电极和第二电极阵列设置。第三电极沿第一方向设置并覆盖一行第一电极，第四电极沿第一方向设置并覆盖一行第二电极。本实用新型实施例的第三电极和第四电极沿第二方向的最小尺寸相同，保证第三电极和第四电极在尺寸最小处的电流拥堵情况相同，进而保证发光二极管具有较高的可靠性。

代理人: 刘锋

代理机构: 北京睿派知识产权代理有限公司 11597