专利查询系统

硅通孔结构、硅通孔背面漏孔的制作方法、电路板和电子设备
公开号: CN119230500A | 申请号: CN202310780690.6

申请类型: 发明

申请号: CN202310780690.6

申请日期: 2023-06-28

公开号: CN119230500A

名称: 硅通孔结构、硅通孔背面漏孔的制作方法、电路板和电子设备

公开日期: 2024-12-31

当前法律状态: 审中

状态: 审中

主要IPC: H01L23/48;H01L21/768

申请人(专利权人): 华为技术有限公司

发明人/设计人: 王成;朱继锋;刘镒;王叶畅;董金文

地址: 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

摘要: 本申请提供了一种硅通孔结构、硅通孔背面漏孔的制作方法、电路板和电子设备。该硅通孔结构包括衬底、金属柱和金属层；其中，衬底设有通孔，金属柱填充于通孔内，且与通孔的内壁之间设有绝缘层。金属层设于金属柱的一侧表面。金属层中的金属在衬底中的扩散速率小于金属柱的金属在衬底中的扩散速率。该结构可减少BVR工艺中金属铜在衬底中的残留，进而提高芯片的可靠性。

代理人: 李东

代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291