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低电感功率模块
公开号: CN222233633U | 申请号: CN202420911876.0

申请类型: 实用新型

申请号: CN202420911876.0

申请日期: 2024-04-28

公开号: CN222233633U

名称: 低电感功率模块

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01L23/48(2006.01);H02M1/00(2007.01);H01L23/538(20

申请人(专利权人): 深圳市国微三代半导体技术有限公司

发明人/设计人: 檀春健;付嵩琦;王少刚;叶怀宇;鲁纲

地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区沙河西路1801号国实大厦20D

摘要: 本实用新型公开了一种低电感功率模块，其中功率模块包括：绝缘外壳、散热底板和多个功率转换单元，散热底板与绝缘外壳连接；多个功率转换单元设于散热底板上，每个功率转换单元包括基板、多个铜夹和多个芯片，多个芯片的正面设有源极并分别通过铜夹与第一导电层连接，多个芯片的背面设有漏极并与第二导电层连接，多个芯片的栅极通过金属引线与第三导电层连接，采用的芯片为金属氧化物半导体场效应晶体管，芯片的源极采用铜夹结构实现芯片与基板的电气互连，相对于金属引线的连接方式，铜夹能够抵消更多由电流产生的磁通，从而能够有效地降低功率模块的寄生电感，芯片与基板、芯片与铜夹、铜夹与基板的互联采用纳米金属烧结工艺，提高互联处的热可靠性，基板的整体布局设计便于实现铜夹+纳米金属烧结工艺，从而实现模块低寄生电感的效果，提升模块可靠性。

代理人: 陈均钦

代理机构: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205