专利查询系统

一种带半导体致冷器的激光发射二极管改进结构
公开号: CN222234121U | 申请号: CN202421112510.3

申请类型: 实用新型

申请号: CN202421112510.3

申请日期: 2024-05-21

公开号: CN222234121U

名称: 一种带半导体致冷器的激光发射二极管改进结构

公开日期: 2024-12-24

当前法律状态: 授权

状态: 有权

主要IPC: H01S5/02218(2021.01);H01S5/02251(2021.01);H01S5/02

申请人(专利权人): 四川宇邑光电科技有限公司

发明人/设计人: 李鸿邑

地址: 621000 四川省绵阳市经开区塘汛镇塘坊大道677号积家工业园3栋2层A区

摘要: 本实用新型涉及激光发射二极管领域，尤其涉及一种带半导体致冷器的激光发射二极管改进结构。包括调节装置，所述调节装置包括固定环，所述固定环与光纤固定连接，所述固定环靠近塑胶护套的一侧固定连接有伸缩杆，所述伸缩杆远离固定环的一端固定连接有移动环，所述移动环的圆弧面两端均固定连接有固定杆，所述固定杆的圆弧面滑动连接有调节块。本实用新型提供的一种带半导体致冷器的激光发射二极管改进结构具有光纤与塑胶护套进行连接时，可通过使用调节装置将光纤与塑胶护套之间的连接处进行保护，通过将光纤与塑胶护套的连接处进行保护，能有效避免光纤与塑胶护套之间出现抵接，导致光纤出现弯折，影响光纤的使用寿命的优点。

代理人: 严成

代理机构: 深圳天融专利代理事务所(普通合伙) 44628